IXFH22N65X2, Транзистор N-MOSFET 650В 22A [TO-247], Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 260 руб.

Сравнить

Описание

N-канал 650V 22A (Tc) 390W (Tc) сквозное отверстие TO-247

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFH22N65X2

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1774050

Технические параметры

Вес, г

7.5

Series

HiPerFETв„ў ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

22A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2310pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

Power Dissipation (Max)

390W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 11A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 1.5mA

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N-Channel_Ultra_Juncti-1621770 , pdf , 336 КБ
Datasheet , pdf , 337 КБ

IXFH22N65X2, Транзистор N-MOSFET 650В 22A [TO-247] - характеристики, поставщики

Последняя цена 260 руб.

Техническая документация