ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFH220N20X3, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFH220N20X3, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IXFH220N20X3, Транзистор
Последняя цена
3140 руб.
Сравнить
Описание
N-канал 200V 220A (Tc) 960W (Tc) сквозное отверстие TO-247
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFH220N20X3
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1811869
Технические параметры
Вес, г
6
Mounting Type
Through Hole
Drain to Source Voltage (Vdss)
200V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-247
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
220A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
13600pF @ 25V
Power Dissipation (Max)
960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.2mOhm @ 110A, 10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Series
HiPerFETв„ў ->
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
204nC @ 10V
California Prop 65
Warning Information
Техническая документация
Datasheet IXFH220N20X3 , pdf
, 299 КБ
