IXFH220N06T3, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 220А, TO220AB, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 890 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 60V/220A TrenchT3

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFH220N06T3

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2156723

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

6.29

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXF

Торговая марка

IXYS

Id - непрерывный ток утечки

220 A

Pd - рассеивание мощности

440 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

87 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

4 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

220A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

8500pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

440W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 100A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Series

HiperFETв„ў, TrenchT3в„ў ->

Qg - заряд затвора

136 nC

Время нарастания

20 ns

Время спада

17 ns

Коммерческое обозначение

HiPerFET

Типичное время задержки выключения

46 ns

Типичное время задержки при включении

24 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

136nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXFH220N06T3 , pdf , 249 КБ
Datasheet , pdf , 248 КБ

IXFH220N06T3, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 220А, TO220AB - характеристики, поставщики

Последняя цена 890 руб.

Техническая документация