ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFH20N85X, Транзистор, X-Class HiperFET, N-канал, 850В, 20А, 330мОм [TO-247] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFH20N85X, Транзистор, X-Class HiperFET, N-канал, 850В, 20А, 330мОм […
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IXFH20N85X, Транзистор, X-Class HiperFET, N-канал, 850В, 20А, 330мОм [TO-247]
Последняя цена
1000 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор 850V Ultra Junction X-Class Pwr МОП-транзистор
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFH20N85X
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1774049
Технические параметры
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
850
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.33 Ом/0.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
540
Крутизна характеристики, S
10
Корпус
to-247
Техническая документация
IXFP-FH20N85X , pdf
, 228 КБ
Datasheet , pdf
, 227 КБ
Datasheet , pdf
, 232 КБ