IXFH20N100P, Транзистор N-MOSFET, Polar™, полевой, 1кВ, 20А, 660Вт, TO247-3, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1430 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 20 Amps 1000V 1 Rds

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFH20N100P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2125835

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Ширина

5.3 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXFH20N100

Тип

Polar Power MOSFET HiPerFET

Торговая марка

IXYS

Длина

16.26 mm

Высота

21.46 mm

Id - непрерывный ток утечки

20 A

Pd - рассеивание мощности

660 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1 kV

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

8 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247AD (IXFH)

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

570 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

6.5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

20A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

7300pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

660W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

570mOhm @ 10A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Series

HiPerFETв„ў, PolarP2в„ў ->

Qg - заряд затвора

126 nC

Время нарастания

37 ns

Время спада

45 ns

Коммерческое обозначение

Polar, HiPerFET

Типичное время задержки выключения

56 ns

Типичное время задержки при включении

40 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

126nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXFH20N100P , pdf , 122 КБ
Datasheet IXFH20N100P , pdf , 118 КБ

IXFH20N100P, Транзистор N-MOSFET, Polar™, полевой, 1кВ, 20А, 660Вт, TO247-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 1430 руб.

Техническая документация