IXFH150N20T, Транзистор N-MOSFET, 200В, 150А, 890Вт, TO247-3, 100нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2040 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор Trench HiperFETs Power МОП-транзисторs

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFH150N20T

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2166917

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXFH150N20

Торговая марка

IXYS

Id - непрерывный ток утечки

150 A

Pd - рассеивание мощности

890 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

200 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

15 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

177 nC

Коммерческое обозначение

HiPerFET

IXFH150N20T, Транзистор N-MOSFET, 200В, 150А, 890Вт, TO247-3, 100нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 2040 руб.