ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFH14N60P, Транзистор N-MOSFET, 600В, 14А, 300Вт, TO247-3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFH14N60P, Транзистор N-MOSFET, 600В, 14А, 300Вт, TO247-3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IXFH14N60P, Транзистор N-MOSFET, 600В, 14А, 300Вт, TO247-3
Последняя цена
740 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
МОП-транзистор 600V 14A
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFH14N60P
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2114141
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
6
Ширина
5.3 mm
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
30
Серия
IXFH14N60
Торговая марка
IXYS
Длина
16.26 mm
Высота
21.46 mm
Id - непрерывный ток утечки
14 A
Pd - рассеивание мощности
300 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Вид монтажа
Through Hole
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
13 S
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-247-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Количество каналов
1 Channel
Упаковка
Tube
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
550 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Канальный режим
Enhancement
Qg - заряд затвора
36 nC
Время нарастания
27 ns
Время спада
26 ns
Коммерческое обозначение
HiPerFET
Типичное время задержки выключения
70 ns
Типичное время задержки при включении
23 ns
Техническая документация
Datasheet IXFH14N60P , pdf
, 332 КБ