IXFH12N90P, Транзистор N-MOSFET, 900В, 12А, 380Вт, TO247-3, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 970 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFH12N90P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2179917

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Ширина

5.3 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXFH12N90

Торговая марка

IXYS

Длина

16.26 mm

Высота

21.46 mm

Id - непрерывный ток утечки

12 A

Pd - рассеивание мощности

380 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

900 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

8.2 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247AD (IXFH)

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

900 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

6.5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

12A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3080pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

380W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 6A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Series

HiPerFETв„ў, PolarP2в„ў ->

Qg - заряд затвора

56 nC

Время нарастания

34 ns

Время спада

68 ns

Коммерческое обозначение

HyperFET

Типичное время задержки выключения

50 ns

Типичное время задержки при включении

32 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXFH12N90P , pdf , 180 КБ
Datasheet IXFH12N90P , pdf , 178 КБ

IXFH12N90P, Транзистор N-MOSFET, 900В, 12А, 380Вт, TO247-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 970 руб.

Техническая документация