ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFH120N30X3, Транзистор N-MOSFET, X3-Class, 300В, 120А, 735Вт, TO247-3, 145с - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFH120N30X3, Транзистор N-MOSFET, X3-Class, 300В, 120А, 735Вт, TO247-…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IXFH120N30X3, Транзистор N-MOSFET, X3-Class, 300В, 120А, 735Вт, TO247-3, 145с
Последняя цена
1830 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
МОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFH120N30X3
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2118360
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
6
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
30
Торговая марка
IXYS
Id - непрерывный ток утечки
120 A
Pd - рассеивание мощности
735 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
300 V
Вид монтажа
Through Hole
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
60 S
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-247-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Количество каналов
1 Channel
Упаковка
Tube
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
11 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
4.5 V
Канальный режим
Enhancement
Qg - заряд затвора
170 nC
Время нарастания
30 ns
Время спада
14 ns
Коммерческое обозначение
HiPerFET
Типичное время задержки выключения
130 ns
Типичное время задержки при включении
30 ns