IXFH110N10P, Транзистор N-MOSFET, 100В, 110А, 480Вт, TO247-3, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 820 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 110 Amps 100V 0.015 Rds

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFH110N10P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2104715

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Ширина

5.3 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXFH110N10P

Тип

PolarHT HiPerFET Power MOSFET

Торговая марка

IXYS

Длина

16.26 mm

Высота

21.46 mm

Id - непрерывный ток утечки

110 A

Pd - рассеивание мощности

480 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

30 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247AD (IXFH)

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

15 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

110A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3550pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

480W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 500mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Series

PolarHTв„ў HiPerFETв„ў ->

Qg - заряд затвора

110 nC

Время нарастания

25 ns

Время спада

25 ns

Коммерческое обозначение

PolarHT, HiPerFET

Типичное время задержки выключения

65 ns

Типичное время задержки при включении

21 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXFH110N10P , pdf , 350 КБ
Datasheet IXFH110N10P , pdf , 305 КБ

IXFH110N10P, Транзистор N-MOSFET, 100В, 110А, 480Вт, TO247-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 820 руб.

Техническая документация