IXFH10N100P, Транзистор, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1160 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор 10 Amps 1000V

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFH10N100P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1813569

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

6.07

Ширина

5.3 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

HiPerFET

Тип

Polar HiPerFET Power MOSFET

Торговая марка

IXYS

Длина

16.26 mm

Высота

21.46 mm

Id - непрерывный ток утечки

10 A

Pd - рассеивание мощности

380 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1 kV

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

4.2 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.4 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

6.5 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

56 nC

Время нарастания

45 ns

Время спада

75 ns

Коммерческое обозначение

HiPerFET

Типичное время задержки выключения

47 ns

Типичное время задержки при включении

38 ns

Техническая документация

Datasheet , pdf , 590 КБ
Datasheet IXFH10N100P , pdf , 179 КБ
Datasheet IXFH10N100P , pdf , 159 КБ

IXFH10N100P, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 1160 руб.

Техническая документация