IXFB44N100P, Транзистор N-MOSFET, полевой, 1000В, 44А, 1250Вт, PLUS264, 300нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3630 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-Channel 1000V 44A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS264в„ў

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFB44N100P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2118100

Технические параметры

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

PLUS264

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Полярность транзистора

N Канал

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-264-3, TO-264AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PLUS264в„ў

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

44A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

19000pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

1250W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

220mOhm @ 22A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Series

HiPerFETв„ў, PolarP2в„ў ->

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

305nC @ 10V

Transistor Mounting

Through Hole

Линейка Продукции

Polar HiPerFET Series

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Напряжение Истока-стока Vds

1кВ

Непрерывный Ток Стока

44А

Пороговое Напряжение Vgs

6.5В

Рассеиваемая Мощность

1.25кВт

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.22Ом

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet , pdf , 590 КБ
Datasheet IXFB44N100P , pdf , 127 КБ

IXFB44N100P, Транзистор N-MOSFET, полевой, 1000В, 44А, 1250Вт, PLUS264, 300нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 3630 руб.

Техническая документация