IXFB40N110Q3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 1100В, 40А, 1560Вт, PLUS264, 434нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 5460 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор MSFT N-CH HIPERFET-Q3 3&44

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFB40N110Q3

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2135867

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

Q3-Class

Торговая марка

IXYS

Id - непрерывный ток утечки

40 A

Pd - рассеивание мощности

1.56 kW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1.1 kV

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

14 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

PLUS-264-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

1100V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-264-3, TO-264AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PLUS264в„ў

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

260 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

40A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

1560W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

260mOhm @ 20A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

6.5V @ 8mA

Series

HiPerFETв„ў ->

Qg - заряд затвора

300 nC

Время нарастания

68 ns

Время спада

26 ns

Коммерческое обозначение

HiPerFET

Типичное время задержки выключения

74 ns

Типичное время задержки при включении

47 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXFB40N110Q3 , pdf , 659 КБ

IXFB40N110Q3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 1100В, 40А, 1560Вт, PLUS264, 434нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 5460 руб.

Техническая документация