IXFB30N120P, Транзистор N-MOSFET, полевой, 1200В, 30А, 1250Вт, PLUS264, 300нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 5430 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 30 Amps 1200V 0.35 Rds

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFB30N120P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2181644

Технические параметры

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

PLUS264

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Ширина

5.31 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXFB30N120P

Тип

Polar HiPerFET Power MOSFET

Торговая марка

IXYS

Длина

20.29 mm

Высота

26.59 mm

Id - непрерывный ток утечки

30 A

Pd - рассеивание мощности

1.25 kW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1.2 kV

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

13 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

PLUS-264-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-264-3, TO-264AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PLUS264в„ў

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

350 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

6.5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

30A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

22500pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

1250W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 500mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Series

HiPerFETв„ў, PolarP2в„ў ->

Qg - заряд затвора

310 nC

Время нарастания

60 ns

Время спада

56 ns

Коммерческое обозначение

Polar, HiPerFET

Типичное время задержки выключения

95 ns

Типичное время задержки при включении

57 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

310nC @ 10V

Transistor Mounting

Through Hole

Линейка Продукции

Polar HiPerFET Series

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

30А

Пороговое Напряжение Vgs

6.5В

Рассеиваемая Мощность

1.25кВт

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.35Ом

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet , pdf , 590 КБ
Datasheet IXFB30N120P , pdf , 142 КБ
Datasheet IXFB30N120P , pdf , 145 КБ

IXFB30N120P, Транзистор N-MOSFET, полевой, 1200В, 30А, 1250Вт, PLUS264, 300нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 5430 руб.

Техническая документация