IXFB170N30P, Транзистор N-MOSFET, полевой, 300В, 170А, 1250Вт, PLUS264, 200нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3930 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор Polar Power МОП-транзистор HiPerFET

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFB170N30P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2129492

Технические параметры

Вес, г

Ширина

5.31 mm

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXFB170N30

Тип

Polar Power MOSFET HiPerFET

Торговая марка

IXYS

Длина

20.29 mm

Высота

26.59 mm

Id - непрерывный ток утечки

170 A

Pd - рассеивание мощности

1.25 kW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

300 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

57 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

PLUS-264-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

18 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

4.5 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

258 nC

Время нарастания

29 ns

Время спада

16 ns

Коммерческое обозначение

Polar, HiPerFET

Типичное время задержки выключения

79 ns

Типичное время задержки при включении

41 ns

Техническая документация

Datasheet IXFB170N30P , pdf , 132 КБ

IXFB170N30P, Транзистор N-MOSFET, полевой, 300В, 170А, 1250Вт, PLUS264, 200нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 3930 руб.

Техническая документация