ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFA8N85XHV, Транзистор: N-MOSFET; X-Class; полевой; 850В; 8А; Idm: 16А; 200Вт - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFA8N85XHV, Транзистор: N-MOSFET; X-Class; полевой; 850В; 8А; Idm: 16…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IXFA8N85XHV, Транзистор: N-MOSFET; X-Class; полевой; 850В; 8А; Idm: 16А; 200Вт
Последняя цена
980 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
МОП-транзистор 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power МОП-транзистор
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFA8N85XHV
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2162003
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
1.5
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
50
Серия
X-Class
Торговая марка
IXYS
Id - непрерывный ток утечки
8 A
Pd - рассеивание мощности
200 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
850 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
2.7 S
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-263-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Количество каналов
1 Channel
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
850 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Канальный режим
Enhancement
Qg - заряд затвора
17 nC
Время нарастания
25 ns
Время спада
23 ns
Коммерческое обозначение
HiPerFET
Типичное время задержки выключения
32 ns
Типичное время задержки при включении
15 ns