ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFA7N80P, Транзистор, PolarHV HiPerFET, N-канал, 800В, 7А, 1.44Ом [TO-263] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFA7N80P, Транзистор, PolarHV HiPerFET, N-канал, 800В, 7А, 1.44Ом [TO…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IXFA7N80P, Транзистор, PolarHV HiPerFET, N-канал, 800В, 7А, 1.44Ом [TO-263]
Последняя цена
450 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор 7 Amps 800V 1.44 Rds
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFA7N80P
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1774047
Технические параметры
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
1.44 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
200
Крутизна характеристики, S
9.5
Корпус
TO-263AA
Техническая документация
IXFA7N80P-IXFI7N80P-IXFPA7N80P , pdf
, 137 КБ
Datasheet IXFA7N80P , pdf
, 141 КБ
Datasheet IXFA7N80P , pdf
, 254 КБ