IXFA3N120, Транзистор N-MOSFET, 1,2кВ, 3А, 200Вт, TO263, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 950 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор 3 Amps 1200V 4.5 Rds

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFA3N120

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2154431

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

2.5

Mounting Type

Surface Mount

Ширина

9.2 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

HiPerFET

Торговая марка

IXYS

Длина

9.9 mm

Высота

4.5 mm

Id - непрерывный ток утечки

3 A

Pd - рассеивание мощности

200 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1.2 kV

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-263-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-263 (IXFA)

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

4.5 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

3A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1050pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

200W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 1.5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 1.5mA

Series

HiPerFETв„ў ->

Qg - заряд затвора

39 nC

Время нарастания

15 ns

Время спада

18 ns

Коммерческое обозначение

HiPerFET

Типичное время задержки выключения

32 ns

Типичное время задержки при включении

17 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXFA3N120 , pdf , 613 КБ
Datasheet IXFA3N120 , pdf , 610 КБ

IXFA3N120, Транзистор N-MOSFET, 1,2кВ, 3А, 200Вт, TO263 - характеристики, поставщики

Последняя цена 950 руб.

Техническая документация