ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFA220N06T3, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 220А, TO263AA - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFA220N06T3, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 220А, TO263AA
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IXFA220N06T3, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 220А, TO263AA
Последняя цена
760 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
МОП-транзистор 60V/220A TrenchT3
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFA220N06T3
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2187292
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
1.54
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
+ 175 C
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
50
Серия
IXF
Торговая марка
IXYS
Id - непрерывный ток утечки
220 A
Pd - рассеивание мощности
440 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
87 S
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-263-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Количество каналов
1 Channel
Упаковка
Tube
Технология
SiC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
4 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Канальный режим
Enhancement
Qg - заряд затвора
136 nC
Время нарастания
20 ns
Время спада
17 ns
Коммерческое обозначение
HiPerFET
Типичное время задержки выключения
46 ns
Типичное время задержки при включении
24 ns
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 248 КБ