ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFA130N10T2, Транзистор N-MOSFET, 100В, 130А, 360Вт, TO263 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFA130N10T2, Транзистор N-MOSFET, 100В, 130А, 360Вт, TO263
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IXFA130N10T2, Транзистор N-MOSFET, 100В, 130А, 360Вт, TO263
Последняя цена
600 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
МОП-транзистор Trench T2 HiperFET Power МОП-транзистор
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFA130N10T2
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2192218
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
2.5
Конфигурация
Single
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
50
Серия
IXFA130N10
Торговая марка
IXYS
Id - непрерывный ток утечки
130 A
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-263-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Количество каналов
1 Channel
Упаковка
Tube
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
9.1 mOhms
Коммерческое обозначение
HiPerFET
Техническая документация
Datasheet IXFA130N10T2 , pdf
, 195 КБ