IXFA12N50P, Транзистор, HiperFET, N-канал, 500В, 12А, 500мОм [TO-263], Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 580 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор 500V 12A

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFA12N50P

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1774045

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Ширина

4.83 mm

Высота

16 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

12 A

Pd - рассеивание мощности

200 W

Qg - заряд затвора

29 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

500 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

500 V

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

5.5 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

27 ns

Время спада

20 ns

Длина

10.66 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

HiPerFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

7.5 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

Серия

IXFA12N50P

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

65 ns

Типичное время задержки при включении

22 ns

Торговая марка

IXYS

Упаковка / блок

TO-263-3

Тип

Polar Power MOSFET HiPerFET

Упаковка

Tube

Техническая документация

IXFA12N50P - IXFP12N50P , pdf , 140 КБ
Datasheet IXFA12N50P , pdf , 148 КБ
Datasheet IXFA12N50P , pdf , 153 КБ

IXFA12N50P, Транзистор, HiperFET, N-канал, 500В, 12А, 500мОм [TO-263] - характеристики, поставщики

Последняя цена 580 руб.

Техническая документация