IXFA110N15T2, Транзистор N-MOSFET, 150В, 110А, 480Вт, TO263, 85нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 870 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор 110Amps 150V

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFA110N15T2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2140759

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

2.5

Mounting Type

Surface Mount

Конфигурация

Single Dual Drain

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXFA110N15

Торговая марка

IXYS

Id - непрерывный ток утечки

110 A

Pd - рассеивание мощности

480 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

150 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

75 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-263-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB

REACH Status

REACH Unaffected

Supplier Device Package

TO-263 (IXFA)

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

11 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

110A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

8600pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

480W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 55A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250ВµA

Qg - заряд затвора

150 nC

Время нарастания

16 ns

Время спада

18 ns

Типичное время задержки выключения

33 ns

Типичное время задержки при включении

33 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

IXFA110N15T2, Транзистор N-MOSFET, 150В, 110А, 480Вт, TO263, 85нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 870 руб.