IXFA10N80P, Транзистор N-MOSFET, 800В, 10А, 300Вт, TO263, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 620 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канал 800V 10A (Tc) 300W (Tc) поверхностный монтаж TO-263 (IXFA)

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFA10N80P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2151096

Технические параметры

Вес, г

2.5

Mounting Type

Surface Mount

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-263 (IXFA)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

10A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2050pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

300W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 2.5mA

Series

HiPerFETв„ў, PolarHTв„ў ->

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet , pdf , 349 КБ

IXFA10N80P, Транзистор N-MOSFET, 800В, 10А, 300Вт, TO263 - характеристики, поставщики

Последняя цена 620 руб.

Техническая документация