ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXDH20N120D1, IGBT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXDH20N120D1, IGBT
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXDH20N120D1, IGBT
Последняя цена
750 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 Amps 1200V
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXDH20N120D1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1253863
Технические параметры
Производитель
IXYS
Тип корпуса
TO-247AD
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Base Product Number
IXD*20N120 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-3P-3 Full Pack
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-247AD
Transistor Configuration
Одинарный
Длина
16.26мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
38 A
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
21.46мм
Число контактов
3
Размеры
16.26 x 5.3 x 21.46мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Current - Collector (Ic) (Max)
38A
Current - Collector Pulsed (Icm)
50A
Gate Charge
70nC
Power - Max
200W
Switching Energy
3.1mJ (on), 2.4mJ (off)
Test Condition
600V, 20A, 82Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Тип канала
N
Reverse Recovery Time (trr)
40ns
Максимальная рабочая температура
+150 °C
IGBT Type
NPT
Ширина
5.3мм
Конфигурация
Single
Pd - рассеивание мощности
200 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
38 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
50 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
30
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
500 nA
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-247-3
Серия
IXDH20N120
Технология
Si
Непрерывный коллекторный ток
38 A
Диапазон рабочих температур
55 C to + 150 C
California Prop 65
Warning Information
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 126 КБ
