ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXBX75N170, Дискретные элементы, сборки и модули - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXBX75N170, Дискретные элементы, сборки и модули
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXBX75N170, Дискретные элементы, сборки и модули
Последняя цена
7960 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) BIMOSFETS 1700V 200A
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXBX75N170
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2113675
Технические параметры
Длина
16.13 mm
Минимальная рабочая температура
55 C
Высота
21.34 mm
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Ширина
5.21 mm
Вес, г
6
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
30
Тип продукта
IGBT Transistors
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
PLUS 247-3
Серия
IXBX75N170
Технология
Si
Коммерческое обозначение
BIMOSFET
Техническая документация
Datasheet IXBX75N170 , pdf
, 179 КБ