IXBT6N170, Транзистор IGBT, BiMOSFETs™, 1,7кВ, 6А, 75Вт, D3PAK, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1220 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT SMD

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 12 Amps 1700V 3.6 Rds

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXBT6N170

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

2193675

Технические параметры

Длина

16.05 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Высота

5.1 mm

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20 V

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Ширина

14 mm

Конфигурация

Single

Вес, г

Pd - рассеивание мощности

75 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

1.7 kV

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2.84 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

12 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

36 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

IXYS

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-268-3

Серия

IXBT6N170

Технология

Коммерческое обозначение

BIMOSFET

Непрерывный коллекторный ток

12 A

Диапазон рабочих температур

55 C to + 150 C

IXBT6N170, Транзистор IGBT, BiMOSFETs™, 1,7кВ, 6А, 75Вт, D3PAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 1220 руб.