ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXBT42N300HV, Транзистор IGBT, BiMOSFET™, 3кВ, 42А, 500Вт, TO268HV - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXBT42N300HV, Транзистор IGBT, BiMOSFET™, 3кВ, 42А, 500Вт, TO268HV
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXBT42N300HV, Транзистор IGBT, BiMOSFET™, 3кВ, 42А, 500Вт, TO268HV
Последняя цена
6780 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT SMD
IGBT 3000V 104A 500W Surface Mount TO-268
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXBT42N300HV
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2086052
Технические параметры
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-268-3, DВіPak (2 Leads + Tab), TO-268AA
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-268
Current - Collector (Ic) (Max)
104A
Current - Collector Pulsed (Icm)
400A
Gate Charge
200nC
Power - Max
500W
Td (on/off) @ 25В°C
72ns/445ns
Test Condition
1500V, 42A, 20Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 42A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
3000V
Reverse Recovery Time (trr)
1.7Вµs
Вес, г
5
Series
BIMOSFETв„ў ->
California Prop 65
Warning Information
Техническая документация
Datasheet IXBT42N300HV , pdf
, 268 КБ