IXBT2N250, Транзистор IGBT, BiMOSFET™, 2,5кВ, 2А, 32Вт, TO268, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2570 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT SMD

IGBT 2500V 5A 32W Surface Mount TO-268

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXBT2N250

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

2198975

Технические параметры

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-268-3, DВіPak (2 Leads + Tab), TO-268AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-268

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Pulsed (Icm)

13A

Gate Charge

10.6nC

Power - Max

32W

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 2A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

2500V

Reverse Recovery Time (trr)

920ns

Вес, г

Series

BIMOSFETв„ў ->

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet , pdf , 239 КБ

IXBT2N250, Транзистор IGBT, BiMOSFET™, 2,5кВ, 2А, 32Вт, TO268 - характеристики, поставщики

Последняя цена 2570 руб.

Техническая документация