IXBT12N300HV, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 30А; 160Вт; TO268, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 5300 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT SMD

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXBT12N300HV

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

2086059

Технические параметры

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-268-3, DВіPak (2 Leads + Tab), TO-268AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-268

Минимальная рабочая температура

55 C

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20 V

Current - Collector (Ic) (Max)

30A

Current - Collector Pulsed (Icm)

100A

Gate Charge

62nC

Power - Max

160W

Td (on/off) @ 25В°C

64ns/180ns

Test Condition

1250V, 12A, 10Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 12A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

3000V

Reverse Recovery Time (trr)

1.4Вµs

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Конфигурация

Single

Вес, г

Pd - рассеивание мощности

160 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

3 kV

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2.8 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

30 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

30 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

+/- 100 nA

Торговая марка

IXYS

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-268-2

Серия

Very High Voltage

Технология

Series

BIMOSFETв„ў ->

Коммерческое обозначение

BIMOSFET

California Prop 65

Warning Information

Чувствительный к влажности

Yes

Техническая документация

Datasheet IXBT12N300HV , pdf , 299 КБ

IXBT12N300HV, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 30А; 160Вт; TO268 - характеристики, поставщики

Последняя цена 5300 руб.

Техническая документация