ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXBT10N170, Транзистор IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 10А, 140Вт, TO268 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXBT10N170, Транзистор IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 10А, 140Вт, TO268
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXBT10N170, Транзистор IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 10А, 140Вт, TO268
Последняя цена
1330 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXBT10N170
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2111143
Технические параметры
Вес, г
5
