ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXBP5N160G, Транзистор, IGBT, 1600В, 5.7А [TO-220AB 3L] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXBP5N160G, Транзистор, IGBT, 1600В, 5.7А [TO-220AB 3L]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXBP5N160G, Транзистор, IGBT, 1600В, 5.7А [TO-220AB 3L]
Последняя цена
560 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXBP5N160G
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1774032
Технические параметры
Максимальное напряжение КЭ ,В
1600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
7.2
Корпус
TO-220AB
Технология/семейство
bimosfet
Наличие встроенного диода
да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
5.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
68
Рабочая температура (Tj), °C
-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А
6
Техническая документация
IXBP5N160G- IXBH5N160G , pdf
, 30 КБ