IXBH10N300HV, Транзистор IGBT, BiMOSFET™, 3кВ, 10А, 180Вт, TO247HV, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 9050 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXBH10N300HV

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

2170589

Технические параметры

Минимальная рабочая температура

55 C

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20 V

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Конфигурация

Single

Вес, г

Pd - рассеивание мощности

180 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

3 kV

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2.2 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

34 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

88 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

IXYS

Упаковка / блок

TO-247HV-3

Технология

IXBH10N300HV, Транзистор IGBT, BiMOSFET™, 3кВ, 10А, 180Вт, TO247HV - характеристики, поставщики

Последняя цена 9050 руб.