ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXBH10N170, Транзистор IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 10А, 140Вт, TO247-3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXBH10N170, Транзистор IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 10А, 140Вт, TO247-3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXBH10N170, Транзистор IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 10А, 140Вт, TO247-3
Последняя цена
1300 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 Amps 1700V 2.3 Rds
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXBH10N170
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2199311
Технические параметры
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-247AD (IXBH)
Длина
16.26 mm
Минимальная рабочая температура
55 C
Высота
21.46 mm
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20 V
Current - Collector (Ic) (Max)
20A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40A
Gate Charge
30nC
Power - Max
140W
Switching Energy
6mJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
35ns/500ns
Test Condition
1360V, 10A, 56Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.8V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1700V
Reverse Recovery Time (trr)
360ns
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Ширина
5.3 mm
Конфигурация
Single
Вес, г
6
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
1700 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2.3 V
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
20 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
30
Тип продукта
IGBT Transistors
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-247-3
Серия
IXBH10N170
Технология
Si
Series
BIMOSFETв„ў ->
Коммерческое обозначение
BIMOSFET
Непрерывный коллекторный ток
16 A
California Prop 65
Warning Information
Техническая документация
Datasheet IXBH10N170 , pdf
, 529 КБ
