ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXBF9N160G, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,6кВ; 4А; 70Вт; ISOPLUS i4-pac™ - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXBF9N160G, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,6кВ; 4А; 70Вт; ISOPLUS i4-p…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXBF9N160G, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,6кВ; 4А; 70Вт; ISOPLUS i4-pac™
Последняя цена
910 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 9 Amps 1600V 1600V 9A
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXBF9N160G
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2103512
Технические параметры
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
i4-Pacв„ў-5 (3 Leads)
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
ISOPLUS i4-PACв„ў
Длина
19.91 mm
Минимальная рабочая температура
55 C
Высота
20.88 mm
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20 V
Current - Collector (Ic) (Max)
7A
Gate Charge
34nC
Power - Max
70W
Test Condition
960V, 5A, 27Ohm, 10V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
7V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1600V
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Ширина
5.03 mm
Конфигурация
Single
Вес, г
2
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
1600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
4.9 V
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
7 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
25
Тип продукта
IGBT Transistors
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
ISOPLUS i4-PAC-3
Серия
IXBF9N160G
Технология
Si
Series
BIMOSFETв„ў ->
Коммерческое обозначение
BIMOSFET
Непрерывный коллекторный ток
7 A
California Prop 65
Warning Information
Техническая документация
Datasheet IXBF9N160G , pdf
, 138 КБ
Datasheet IXBF9N160G , pdf
, 83 КБ
