IXBF20N360, Транзистор IGBT, BiMOSFET™, 3,6кВ, 20А, 230Вт, ISOPLUS i4-pac™, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 7670 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT

IGBT 3600V 45A 230W Through Hole ISOPLUS i4-PACв„ў

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXBF20N360

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

2184165

Технические параметры

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

i4-Pacв„ў-5

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

ISOPLUS i4-PACв„ў

Current - Collector (Ic) (Max)

45A

Current - Collector Pulsed (Icm)

220A

Gate Charge

43nC

Power - Max

230W

Switching Energy

15.5mJ (on), 4.3mJ (off)

Td (on/off) @ 25В°C

18ns/238ns

Test Condition

1500V, 20A, 10Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 20A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

3600V

Reverse Recovery Time (trr)

1.7Вµs

Вес, г

Series

BIMOSFETв„ў ->

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXBF20N360 , pdf , 230 КБ

IXBF20N360, Транзистор IGBT, BiMOSFET™, 3,6кВ, 20А, 230Вт, ISOPLUS i4-pac™ - характеристики, поставщики

Последняя цена 7670 руб.

Техническая документация