IXBA16N170AHV, Транзистор IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 10А, 150Вт, TO263, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3330 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT SMD

МОП-транзистор IGBT BIМОП-транзистор-HIGH VOLT

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXBA16N170AHV

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

2086062

Технические параметры

Количество каналов

1 Channel

Минимальная рабочая температура

55 C

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Конфигурация

Single

Вес, г

Pd - рассеивание мощности

150 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

МОП-транзистор

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

IXYS

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-263-3

Полярность Транзистора

N-Channel

Технология

Коммерческое обозначение

BIMOSFET

Qg - заряд затвора

65 nC

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Канальный режим

Enhancement

IXBA16N170AHV, Транзистор IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 10А, 150Вт, TO263 - характеристики, поставщики

Последняя цена 3330 руб.