ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXA70I1200NA, IGBT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXA70I1200NA, IGBT
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXA70I1200NA, IGBT
Последняя цена
2650 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Дискретные транзисторы IGBT, серия IXYS XPT
Дискретные транзисторы IGBT серии XPT ™ от IXYS оснащены технологией сверхлегких сквозных тонких пластин, что позволяет снизить тепловое сопротивление и потери энергии. Эти устройства предлагают быстрое переключение с низким остаточным током и доступны в различных отраслевых стандартных и патентованных пакетах.
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXA70I1200NA
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1253860
Технические параметры
Тип корпуса
SOT-227B
Brand
IXYS
Package Type
SOT-227B
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Operating Temperature
-40В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-227B
Maximum Operating Temperature
+125 °C
Length
38.23mm
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 В
Maximum Continuous Collector Current
100 A
Maximum Power Dissipation
350 Вт
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Width
25.25mm
Height
9.6mm
Pin Count
4
Dimensions
38.23 x 25.25 x 9.6мм
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Channel Type
N
Максимальный непрерывный ток коллектора
100 А
Минимальная рабочая температура
55 C
Число контактов
4
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100A
Power - Max
350W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Максимальная рабочая температура
+125 °C
IGBT Type
PT
Конфигурация
Single
Configuration
Single
Pd - рассеивание мощности
350 W
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.8 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
100 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
10
Тип продукта
IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер
500 nA
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
SOT-227B-4
Current - Collector Cutoff (Max)
100ВµA
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Продукт
IGBT Silicon Modules
Серия
IXA70I1200NA
Технология
Si
Коммерческое обозначение
XPT
California Prop 65
Warning Information
Техническая документация
Datasheet IXA70I1200NA , pdf
, 177 КБ
