ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXA30PG1200DHGLB, Полумост IGBT, Urmax 1,2кВ, Ic 30А, P 150Вт, Ifsm 75А, SMPD-B, SMT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXA30PG1200DHGLB, Полумост IGBT, Urmax 1,2кВ, Ic 30А, P 150Вт, Ifsm 75…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXA30PG1200DHGLB, Полумост IGBT, Urmax 1,2кВ, Ic 30А, P 150Вт, Ifsm 75А, SMPD-B, SMT
Последняя цена
1980 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Модули IGBT
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Phaseleg
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXA30PG1200DHGLB
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2098961
Технические параметры
Минимальная рабочая температура
55 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20 V
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Конфигурация
Single
Вес, г
8
Pd - рассеивание мощности
150 W
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.9 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
43 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
30 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
20
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
500 nA
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
ISOPLUS-9
Другие названия товара №
IXA30PG1200DHGLB-TUB
Серия
IXA30PG1200DHGLB
Технология
Si
Коммерческое обозначение
XPT