ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXA12IF1200PB, IGBT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXA12IF1200PB, IGBT
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXA12IF1200PB, IGBT
Последняя цена
380 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Дискретные транзисторы IGBT, серия IXYS XPT
Дискретные транзисторы IGBT серии XPT ™ от IXYS оснащены технологией сверхлегких сквозных тонких пластин, что позволяет снизить тепловое сопротивление и потери энергии. Эти устройства предлагают быстрое переключение с низким остаточным током и доступны в различных отраслевых стандартных и патентованных пакетах.
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXA12IF1200PB
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1253857
Технические параметры
Производитель
IXYS
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Brand
IXYS
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 В
Maximum Power Dissipation
85 Вт
Dimensions
10.66 x 4.82 x 16мм
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Длина
10.66мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
20 А
Максимальное рассеяние мощности
85 W
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
16мм
Число контактов
3
Размеры
10.66 x 4.82 x 16мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Ширина
4.82мм
