IXA12IF1200HB, IGBT, 20 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 450 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

Дискретные транзисторы IGBT, серия IXYS XPT
Дискретные транзисторы IGBT серии XPT ™ от IXYS оснащены технологией сверхлегких сквозных тонких пластин, что позволяет снизить тепловое сопротивление и потери энергии. Эти устройства предлагают быстрое переключение с низким остаточным током и доступны в различных отраслевых стандартных и патентованных пакетах.

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXA12IF1200HB

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1253856

Технические параметры

Brand

IXYS

Package Type

TO-247

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247AD (HB)

Maximum Operating Temperature

+125 °C

Length

16.26mm

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 В

Maximum Continuous Collector Current

20 A

Maximum Power Dissipation

85 Вт

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Width

5.3мм

Pin Count

Dimensions

16.26 x 5.3 x 21.46mm

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Channel Type

Минимальная рабочая температура

55 C

Высота

21.46mm

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20 V

Current - Collector (Ic) (Max)

20A

Gate Charge

27nC

Power - Max

85W

Switching Energy

1.1mJ (on), 1.1mJ (off)

Test Condition

600V, 10A, 100Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 10A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

Reverse Recovery Time (trr)

350ns

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

IGBT Type

Конфигурация

Single

Вес, г

Pd - рассеивание мощности

85 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.8 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

20 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

13 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

500 nA

Торговая марка

IXYS

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-247-3

Серия

IXA12IF1200

Технология

Коммерческое обозначение

XPT

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXA12IF1200HB , pdf , 187 КБ
Datasheet IXA12IF1200HB , pdf , 146 КБ

IXA12IF1200HB, IGBT, 20 A 1200 V, 3-Pin TO-247 - характеристики, поставщики

Последняя цена 450 руб.

Техническая документация