ISP75DP06LMXTSA1, Trans MOSFET P-CH 60V 1A T/R, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 20 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

МОП-транзистор SMALL SIGNAL МОП-транзисторS

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

ISP75DP06LMXTSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2409363

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

P-Channel

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

1.1 A

Pd - рассеивание мощности

4.2 W

Qg - заряд затвора

4 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

750 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

5 ns

Время спада

14 ns

Другие названия товара №

ISP75DP06LM SP004987274

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

1.8 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

ISP06P009

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

40 ns

Типичное время задержки при включении

3 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-223-4

Техническая документация

Datasheet , pdf , 359 КБ
Datasheet ISP75DP06LMXTSA1 , pdf , 1111 КБ

ISP75DP06LMXTSA1, Trans MOSFET P-CH 60V 1A T/R - характеристики, поставщики

Последняя цена 20 руб.

Техническая документация