IRLZ24NSTRLPBF, Trans MOSFET N-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 55 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

N-канал, 55 В, 18 А (Tc), 3,8 Вт (Ta), 45 Вт (Tc), поверхностный монтаж D2PAK

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRLZ24NSTRLPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1811639

Технические параметры

Series

HEXFETВ® ->

Base Product Number

IRLZ24 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

18A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 5V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Power Dissipation (Max)

3.8W (Ta), 45W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 11A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

D2PAK

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±16V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250ВµA

Техническая документация

Datasheet IRLZ24NSTRLPBF , pdf , 302 КБ

IRLZ24NSTRLPBF, Trans MOSFET N-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - характеристики, поставщики

Последняя цена 55 руб.

Техническая документация