IRLS3036TRLPBF, Транзистор MOSFET 60V 195A 380W 2.4m 10V,165A 2.5V 250µA N Channel [TO-263-2], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 512 руб.

Сравнить

Описание

N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 60 В до 80 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевым HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRLS3036TRLPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1744701

Технические параметры

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

D2PAK (TO-263)

Высота

9.65mm

Length

10.67мм

Brand

Infineon

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

91 nC @ 4.5 V

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +16 V

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Серия

HEXFET

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

270 A

Maximum Power Dissipation

380 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.83mm

Maximum Drain Source Resistance

2.8 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.3V

Техническая документация

Datasheet IRLS3036TRLPBF , pdf , 356 КБ

IRLS3036TRLPBF, Транзистор MOSFET 60V 195A 380W 2.4m 10V,165A 2.5V 250µA N Channel [TO-263-2] - характеристики, поставщики

Последняя цена 512 руб.

Техническая документация