IRLR8726PBF, Транзистор 2.35V 50uA 0.0058 25A,10V 30V 86A N Channel 75W [TO-252-2], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 27 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRLR8726PBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1816713

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

0.6

Максимальный непрерывный ток стока

86 A

Максимальное рассеяние мощности

75 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

6.22мм

Высота

2.39мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

6 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

6.73мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

15 нс

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.39мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

12 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

2.35V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.35V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

15 nC @ 4.5 V

Типичная входная емкость при Vds

2150 пФ при 15 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Техническая документация

Datasheet , pdf , 355 КБ

IRLR8726PBF, Транзистор 2.35V 50uA 0.0058 25A,10V 30V 86A N Channel 75W [TO-252-2] - характеристики, поставщики

Последняя цена 27 руб.

Техническая документация