IRLR6225TRPBF, Транзистор Nкан 20В 100А, [D-PAK], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 74 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор от 12 В до 25 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает в себя N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRLR6225TRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1773566

Технические параметры

Вес, г

0.4

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

DPAK (TO-252)

Transistor Material

Length

6.73mm

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

48 nC @ 4.5 V

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Mounting Type

Surface Mount

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.5V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Power Dissipation

63 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

7.49mm

Height

2.39mm

Maximum Drain Source Resistance

5.2 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.2V

Forward Transconductance

205s

Dimensions

6.73 x 7.49 x 2.39mm

Typical Turn-On Delay Time

9.7 ns

Typical Turn-Off Delay Time

63 ns

Техническая документация

Datasheet IRLR6225 , pdf , 297 КБ

IRLR6225TRPBF, Транзистор Nкан 20В 100А, [D-PAK] - характеристики, поставщики

Последняя цена 74 руб.

Техническая документация