IRLR3110ZTRPBF, Транзистор HEXFET, N-канал, 100В, 63А [D-PAK], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 120 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRLR3110ZTRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1773556

Технические параметры

Вес, г

0.4

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

100

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.014 Ом/38А, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

140

Крутизна характеристики, S

Корпус

DPAK(2 Leads+Tab)

Техническая документация

Datasheet IRLR3110Z, IRLU3110Z , pdf , 318 КБ

IRLR3110ZTRPBF, Транзистор HEXFET, N-канал, 100В, 63А [D-PAK] - характеристики, поставщики

Последняя цена 120 руб.

Техническая документация