ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRLML9303TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 2.3А [Micro3 / SOT-23] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRLML9303TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 2.3А [Micro3 / SOT-23]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRLML9303TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 2.3А [Micro3 / SOT-23]
Последняя цена
40 руб.
Сравнить
Описание
P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Диапазон дискретных мощных MOSFET-транзисторов Infineon включает P-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и теплового дизайна вызов. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRLML9303TRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1773534
Технические параметры
Вес, г
0.05
Структура
p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
2.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.165 Ом/2.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
1.25
Корпус
Micro-3/SOT-23-3
Техническая документация
IRLML9303PBF Datasheet , pdf
, 214 КБ
Datasheet IRLML9303TRPBF , pdf
, 207 КБ
Datasheet , pdf
, 201 КБ