ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRLI520N, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
International Rectifier
IRLI520N, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IRLI520N, Транзистор
Последняя цена
210 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Информация
Производитель
International Rectifier
Артикул
IRLI520N
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1773499
Технические параметры
Вес, г
2
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Brand
Infineon
Тип корпуса
TO-220
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Transistor Configuration
Одинарный
Высота
9.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
8,1 А
Maximum Power Dissipation
30 Вт
Series
LogicFET
Maximum Drain Source Resistance
180 мΩ
Typical Gate Charge @ Vgs
20 нКл при 5 В
Maximum Gate Source Voltage
-16 В, +16 В
Maximum Gate Threshold Voltage
2V