ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRGSL4B60KD1PBF, IGBT, 11 A 600 V, 3-Pin I2PAK (TO-262) - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRGSL4B60KD1PBF, IGBT, 11 A 600 V, 3-Pin I2PAK (TO-262)
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IRGSL4B60KD1PBF, IGBT, 11 A 600 V, 3-Pin I2PAK (TO-262)
Последняя цена
210 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Co-Pack IGBT до 20A, Infineon
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику широкий спектр возможностей для обеспечения защиты вашего приложения. Высокий коэффициент полезного действия позволяет использовать этот диапазон IGBT в самых разных приложениях и может поддерживать различные частоты переключения благодаря низким коммутационным потерям.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRGSL4B60KD1PBF
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1252549
Технические параметры
Производитель
Infineon
Тип корпуса
I2PAK (TO-262)
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Transistor Configuration
Одинарный
Длина
10.67мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
11 A
Максимальное рассеяние мощности
63 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
11.3мм
Число контактов
3
Размеры
10.67 x 4.83 x 11.3мм
Скорость переключения
8 → 30кГц
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Ширина
4.83мм