IRGS6B60KDPBF, IGBT, 18 A 600 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 270 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

Co-Pack IGBT до 20A, Infineon
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику широкий спектр возможностей для обеспечения защиты вашего приложения. Высокий коэффициент полезного действия позволяет использовать этот диапазон IGBT в самых разных приложениях и может поддерживать различные частоты переключения благодаря низким коммутационным потерям.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRGS6B60KDPBF

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1252548

Технические параметры

Производитель

Infineon

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Brand

Infineon

Package Type

D2PAK (TO-263)

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.67mm

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Collector Emitter Voltage

600 В

Maximum Continuous Collector Current

18 A

Maximum Power Dissipation

90 Вт

Width

9.65mm

Pin Count

Switching Speed

8 → 30kHz

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Длина

10.67мм

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

18 A

Максимальное рассеяние мощности

90 Вт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.83мм

Число контактов

Размеры

10.67 x 9.65 x 4.83мм

Скорость переключения

8 → 30кГц

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Тип канала

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

9.65мм

Техническая документация

Datasheet IRGB6B60KD, IRGS6B60KD, IRGSL6B60KD , pdf , 352 КБ

IRGS6B60KDPBF, IGBT, 18 A 600 V, 3-Pin D2PAK (TO-263) - характеристики, поставщики

Последняя цена 270 руб.

Техническая документация